技术编号:3590848
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于稀土功能材料领域,具体为一种笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土离子发光材料的制备方法。背景技术稀土离子由于独特的4f层电子构型,因而具有优异的发光性能(如色纯度高、荧光寿命长、发射谱线丰富等),在冶金工业、石油化工、贮氢、玻璃陶瓷、永磁材料、发光材料等领域有着潜在的应用价值。聚硅倍半氧烷的分子通式为(RSi03/2)n(分子中O与Si的原子比为32),式中的R可以为H、烷基、亚烃基、芳基、亚芳基或这些基团的取代基。聚硅倍半氧烷存在无规、笼型、梯形、桥型等...
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