技术编号：35917337
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请的实施例主要涉及半导体器件制备领域。更具体地，本申请的实施例涉及一种相变存储器、制备方法和电子设备。背景技术.非易失性存储(non-volatile memory，nvm)技术在许多方面都取得了一些重大的进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，研究者们建议采用新型nvm技术来替代传统的存储技术，以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器(phase change memory)为代表的多种新型nvm技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注。相变存...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。