技术编号:35923322
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种辅助前体、包含其的薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板,具体涉及抑制副反应以降低薄膜中的杂质浓度并防止薄膜的腐蚀和劣化以改善薄膜的电学特性,而且适当地控制薄膜的生长速度,从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜,也能够改善台阶覆盖性(step coverage)、薄膜的厚度均匀性以及电阻率,并且即便与薄膜前体混合使用也不会发生分解的辅助前体、包含其的薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板。背景技术.存储及非存储半导体元件的集...
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