技术编号:35990843
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术.随着半导体制造技术的飞速发展,人们对于器件的性能要求不断提高。.在半导体制作中,mosfet(metallic oxide semiconductor field effect,金属-氧化物半导体场效应晶体管)广泛的应用于模拟电路与数字电路中。阈值电压,是mosfet的重要参数之一,当mosfet器件处于临界导通状态,此时的栅极电压定义为阈值电压。.在测量器件的阈值电压时,阈值电压的曲线会有波动,在某些区域内...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。