技术编号:3601859
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机半导体材料,为解决有机半导体材料存在的低溶解性、低电学性能等问题,本发明提出了一种以三噻吩并苯为核心的星形含硅聚合物及其制备方法与应用,本发明引入的三噻吩并苯基有较大的共平面π-共轭结构,有利于扩大电荷离域范围,从而有利于获得较高的电学性能。此外,星型构型的引入也有利于提高化合物的溶解性,从而得到溶解度较高的聚合物。所述的三噻吩并苯基星形含硅聚合物具有如(I)式所示的结构式?(I)。专利说明 [0001] 本发明涉及有机半导体材料,具体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。