技术编号:36094707
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及稀有金属冶金技术领域,尤其涉及一种半导体用钽粉的氢气还原降氧方法。背景技术.在微电子领域,钽靶常用以制备半导体器件薄膜电极、互联线以及阻挡层,对钽靶的纯度以及气体含量要求非常高。根据钽靶的制备工艺,可以分为粉末冶金钽靶和熔炼钽靶。粉末冶金钽靶相对于传统熔炼法制得的钽靶具有组织均匀,晶粒尺寸小,工序简单等优点,溅射镀膜更加均匀致密。但是粉末冶金钽靶原材料钽粉对氧有很大的亲和力,经过破碎等工序制得的钽粉往往含有过高的氧,同时热等静压烧结温度远小于熔炼温度,粉末中的氧不能完全排除,导致...
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