技术编号：36102486
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种碲化镓微纳结构及其异质结的制备方法。背景技术.碲化镓(gate)作为iii-vi族化合物半导体之一，相比于硫化镓(gas)及硒化镓(gase)，具有更低的禁带宽度(.ev)、更低的熔点(℃)、较高的空穴密度(-cm-)及空穴迁移率(-cm/vs)，且为直接带隙，使其在太阳能窗口材料和室温辐射探测等方面优势明显；此外，gate呈现天然的p型导电性，可作为异质p型材料，在异质结光电探测(例如n-si/p-gate...
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