技术编号:36160783
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置、制造方法以及电子设备技术领域.本申请涉及半导体领域。背景技术.在对功率半导体器件施加高电压、大电流的应用中,由于在器件的电极间需要施加高电压,因此,对器件的各电极间的耐压要求比较高。通常,在被施加了高电压的情况下,在电位梯度(即“电场强度”)局部变大的部位容易发生击穿,因此,为了提高耐压,一般采用不会产生电位梯度局部变大的部位的构造。.现有技术中,在包含绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,简称“igbt”)构造的器件中,有时使...
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