技术编号：36248416
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体制造领域，特别是一种碳化硅晶片的预处理方法及碳化硅晶片。背景技术.功率器件是电力电子技术的核心，在电力电子技术朝着高频、高功率密度发展的方向上扮演着至关重要的角色。碳化硅（sic）材料具有宽禁带、高导热性、高击穿电压和高饱和电子漂移速度等特性，是制备高温、大功率电力电子器件的重要材料。此外，sic具有一个独特优势，可以直接通过热氧化得到高质量的二氧化硅（sio）化合物半导体，因此，sic热氧化后得到的sio常常被用作金属氧化物半导体器件（mos）的栅介质，以及sic表面...
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