技术编号：36255085
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。基于gao/sio的topcon光伏电池及制备方法技术领域.本发明涉及光伏电池技术领域，特别涉及基于gao/sio的topcon光伏电池及制备方法。背景技术.晶体硅太阳电池中金属电极与半导体硅直接接触所造成的载流子复合是制约电池效率进一步提高的重要因素。topcon（tunnel oxide passivated contact）结构由一层超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成，可以为硅片背面提供优越的表面钝化，超薄氧化层在使多子电子隧穿进入掺杂多晶硅的同时能阻挡少子空穴复合，进入多晶...
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