技术编号:36256601
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。蚀刻设备和使用该蚀刻设备的蚀刻方法.该专利申请要求年月日提交的第--号韩国专利申请以及年月日提交的第--号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。技术领域.本公开在这里涉及一种蚀刻设备和蚀刻方法,更具体地,涉及一种使用超低电子温度等离子体的蚀刻设备和蚀刻方法。背景技术.等离子体是由正离子、负离子、电子、激发原子、分子和高化学活性自由基构成的离子化气体,并且因为在电学和热学上具有与普通...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。