技术编号:36278312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及光伏技术领域,具体为一种降低降温吸杂时间提产的扩散工艺。背景技术.多晶硅电池片目前广泛采用p型多晶硅片作为原料,主要工艺步骤为:酸制绒-扩散-刻蚀-pecvd镀膜-丝网印刷烧结-电注入-测试分档。其中,扩散是制备太阳能电池片的最核心工序,其目的为p(n)型硅基础上形成pn结,因此扩散工艺的改进和优化尤其受到研究者的广泛关注。现有太阳能电池的扩散工艺主要包括升温、氧化、预沉积、再分布、氧化及吸杂等。由于在太阳电池的p扩散过程中还包含对基片的吸杂,因此p扩散时不仅要考虑形成较好的pn...
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