技术编号：36300493
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种多级沟槽悬浮结器件结构。背景技术.世纪的能源网络，无论是太阳能、风能和储能等可再生能源，还是电动汽车和变频电机等高效负载，都需要功率半导体来实现。随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，将带来更多绿色能源发电、绿色汽车、充电桩、储能等需求，这些需求对能源控制核心的功率半导体器件提出了更高的要求。在功率半导体器件中，悬浮结器件通过在漂移区中设计不与电极直接连接、掺杂类型与漂移区相反的悬浮结区域，对漂移区的电场产生调制作用，使得器件可以在保持击穿电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。