技术编号：36387122
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种锗硅异质结晶体管及其制造方法。背景技术.sige异质结双极性晶体管(hbt)具有优良的高频特性，在高频电路等领域有很大的应用需求。与ⅲ‑ⅴ族射频器件相比，sige hbt器件的机械性能和导热性好，而且制造成本较低。此外，sige hbt器件可与cmos技术兼容，生产上更具灵活性。所以，sige hbt器件一直受到科研院所和公司的重视，其理论研究和生产制造都在不断发展。.目前，sige hbt器件制备方式通常包括：基于传统的双层多晶硅自对准工艺(d...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。