技术编号:3639776
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现在,工业7K平的晶片的壁厚一般为150ftm,但仍在要求日益薄型化 的晶片。在将晶片进一步薄型化到更薄的厚度时,研削面(背面)由于电 路面的凹凸的影响而变得不均匀的现象,即电路图案的背面转印现象变得 显著。专利文献1公开了如下晶片研削方法将上述的能量射线易剥离型保 护片材粘贴到形成有电路的晶片上,用能量射线将粘合剂层固化后,进行 晶片的背面研削。但是,粘合剂不是流体,因此对于晶片电路面的凹凸的 追随性不充分。本发明的目的在于提供一种光固化型粘合剂,该光固...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。