技术编号:36408677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体激光器技术领域,尤其涉及一种单模低发散角垂直腔面发射激光器。背景技术.垂直腔面发射激光器,简称(vcsel),它具有低阈值电流、圆形光斑、高调制带宽、单纵模激射、易于实现高密度二维阵列、制作成本较低等诸多优点,在许多领域中都具有广泛得应用,特别是在光纤通讯领域扮演着重要的角色。vcsel由于横向宽度较大,器件通常为多横模激射,导致输出激光的相干性较差,并且发散角较大。为了实现基模激射,常用的方法是通过制作小的电流注入孔径来限制高阶横模,一般可采用湿氮氧化、质子轰击或掩埋异质...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。