技术编号：36414311
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种外延生长方法、系统及外延晶圆技术领域.本发明实施例涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种外延生长方法、系统及外延晶圆。背景技术.相比于抛光晶圆，外延晶圆具有表面缺陷少，结晶性能优异以及电阻率可控的特性。基于上述的特性，外延晶圆被广泛地应用于高集成化的集成电路(integrated circuit，ic)元件和金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)制程。.通常在抛光晶圆的表面上生长一层单晶薄膜(也称之为“外延层”)的晶圆被称为外延晶圆。外延晶圆是...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。