技术编号:3642566
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种化学放大型正性抗蚀剂组合物。 背景技术 化学放大型正性抗蚀剂组合物用于采用光刻法的半导体微型制造,所述光刻法使用i-射线,KrF,ArF和电子束;在半导体器件的制备中形成隆起或者厚膜抗蚀剂图案;在电路板的制备中形成配线图案或者厚膜抗蚀剂层压体;等。 预期化学放大型抗蚀剂组合物产生具有高分辨率和良好图案外形的图案。 US 2005/0042540 A1公开了一种化学放大型正性抗蚀剂组合物,其包含树脂和酸生成剂,所述树脂包含衍生自羟基苯乙烯...
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