技术编号：36432769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体器件领域，特别是一种碳化硅肖特基二极管结构。背景技术.第三代半导体碳化硅(sic)材料具有比传统的硅(si)材料优异的物理和电学特性。例如sic具有禁带宽、热导率高、击穿场强高、饱和电子漂移速率高等特点，同时还兼具有极好的物理及化学稳定性、极强的抗辐照能力和机械强度等。因此，基于宽禁带sic材料的电子器件可用于高温、大功率、高频、高辐射等电力电子领域。.结势垒型肖特基二极管(jbs)将pn结集成在肖特基结构中，能够有效地保证低肖特基势垒的优良正向导通特性，同时在反向阻...
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