技术编号:3650131
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机高分子聚合物领域,具体是一种侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅垸 的制备方法。 背景技术聚硅烷是一种主链完全由硅原子组成的聚合物。聚硅烷本身的电导率仅10—12—10—15S/cm, 属于绝缘体,但经氧化掺杂后可成为优良导体。提高聚硅垸导电能力的途径很多, 一般是通 过在其侧链上引入适当的共轭取代基而实现。取代基的电子效应和空间构型会影响聚硅烷的 电子结构,并决定聚硅垸的电化学性能。四硫代富瓦烯衍生物是一类具有强^电子共轭的化 合物,其电荷转移...
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