技术编号:36510617
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种gan hemt器件结构及其制备方法技术领域.本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种gan hemt器件结构及其制备方法。背景技术.图是一种gan hemt器件的结构示意图,参考图,在gan基hemt中势垒层和沟道层的异质结可以获得较高的二维电子气。为提高势垒层和沟道层的能带,可以在势垒层和沟道层之间插入一层-nm的aln空间层。一方面形成深且窄的量子阱从而提高沟道的电子密度,另一方面可以抑制二维电子气渗入到势垒层中受到合金散射,从而提高电子迁移率。然...
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