技术编号:3652984
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明一般性地涉及用于制造半导体器件的抗反射涂料的领域。更具体地说,它涉及由染色的硅氧烷树脂形成的抗反射涂料。光刻蚀法是半导体制造领域中的已知技术。在典型的光刻蚀法中,半导体晶片用阻挡层,即,抗反射涂层(ARC)涂布。此后,在ARC层上涂布光刻胶层。然后使光刻胶/ARC/半导体晶片接近电磁辐射(EM)源,通常是具有大约150nm到大约300nm波长的紫外线(UV),在EM源和光刻胶/ARC/半导体晶片之间插入掩模。掩模一般对所用的EM的波长不透过,...
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