技术编号:3653102
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。无背景技术 对于后193nm时代而言,使用157nm F2激光器的微影术作为一种可行的技术迅速出现。事实上,其可成为用于100至70nm节点的技术选择。然而,现今使用的大多数现有光阻剂在157nm波长处具有强烈的吸收。某些碳氟化合物聚合物和包括倍半氧硅烷的含硅聚合物已经显示出在157nm处的高透明性。用于IC制造的一种关键化学品是光阻剂(PR),其为一种感光性聚合物,当适当地暴露和显影时,其会遮盖部分基板并以高度完整性将IC图案转移。建造更快和更小的处理器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。