技术编号:3660122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于复合介电薄膜制备领域,特别涉及复合介电薄膜的制备方法。背景技术具有高介电常数、低介电损耗、易加工性的聚合物基复合介电材料由于很好的柔韧性和储存电荷、均匀电场的能力,因此作为一种功能独特、应用广泛的功能材料,在混合动力机车、传感器、航天军事和电能存储领域等中有很广泛的应用。目前,介电材料主要有三类I、普通介电陶瓷材料如钛酸铜钙(CCTO),其电容较大,介电常数高达 IO4-IO5(Lin Zhang, et al. , Ferroelectrics...
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