技术编号:3660288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及特别用于集成电路、薄膜晶体管、光电转换装置和感光体等用途的。更详细地讲,本发明涉及能特别容易地形成优良硅膜的高级硅烷组合物及使用该组合物形成优良硅膜的方法。在特开平1-29661号公报中,公开了一种使气态原料在冷却的基板上液化吸附后,通过使之与化学活性的原子态的氢反应而形成硅膜的方法,但是却有以下问题。即为使原料氢化硅继续进行气化和冷却,不仅需要复杂装置,而且膜厚的控制也困难。而且在特开平5-144741号公报和特开平7-267621号公报中,公...
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