技术编号:3661951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高分子材料的工业化生产工艺,具体涉及的是一种超低氧窄分子量分布聚二甲基硅烷工业化生产新工艺。背景技术聚二甲基硅烷是一种主链由硅原子组成的高分子材料。由于Si的低电负性并具有3d空轨道,因此,电子可沿着Si — Si主链广泛离域,同时它还含有丰富的Si-H键,从而使聚二甲基硅烷在光电导、发光二极管、非线性光学材料以及SiC陶瓷制备和功能材料方面均具有非常好的应用前景。聚二甲基硅烷作为一种新型功能高分子材料,对其进行研究不论是理论上还是实践上都有...
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