技术编号：36645540
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种有机膜研磨组合物以及利用其的研磨方法。背景技术、随着半导体装置的发展，设备的尺寸逐渐变小，要求的性能逐渐变高，随之，正在加紧推进着关于线幅微细化和元器件的高集成度的研究。、为了实现半导体元器件的高度集成化，需要堆积多层电路的层叠技术和厚度加厚的硬掩模，采用常规厚度光致抗蚀剂(photoresist，pr)制备高结构物时，长宽比(aspectratio)变高，这会导致pr图案(pattern)的崩坏。、为了解决上述问题，采用通过牺牲膜，即，旋涂碳(spin on carbon，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。