技术编号：36648983
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物、作为由该组合物形成的涂布膜的烧成物的抗蚀剂下层膜、使用了该组合物的半导体装置的制造方法。背景技术、在半导体装置的制造中，进行采用光刻工艺的微细加工。在该光刻工艺中，已知有下述问题：在将基板上的抗蚀剂层用krf准分子激光、arf准分子激光等紫外线激光进行曝光时，因为由起因于该紫外线激光在基板表面反射而产生的驻波造成的影响，不形成具有所希望的形状的抗蚀剂图案。为了解决该问题，采用了在基板与抗蚀剂层之间设置抗蚀剂下层膜(防反射膜)。进而已知，作为用于形成抗蚀剂下层...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。