技术编号:3667958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于新型组合物的化学机械抛光/平面化垫及其制造方法。具体而言,该CMP垫是衍生自聚醚/聚酯预聚物反应混合物的聚氨酯垫,其中所得垫表现出在高孔隙率下的适中硬度、高抗撕裂性和高阻尼性能。背景技术化学机械平面化,也称作化学机械抛光或CMP,是用于在后续步骤的准备中将加工中的半导体晶片或其它衬底,如光学、磁性类型的衬底的顶面平面化或用于选择性除去材料的技术。该技术与抛光垫一起使用具有腐蚀性和磨蚀性的浆料。半导体技术中的快速进展已导致极大规模集成(VLSI...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。