技术编号:3669086
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种聚吡咯复合材料,特别涉及。背景技术聚吡咯是含有π共轭结构的导电高分子。近年来,由于其合成简便,抗氧化性能良好,与其它导电高分子相比电导率较高、易成膜、柔软等优点而日益受到人们的关注。目前,聚吡咯已被应用于制作发光材料、电磁屏蔽材料、二次电池、防腐涂料等领域。但其电导率相对于良导体还有一定差距,将聚吡咯与金属粒子复合可大幅提高其导电率。金纳米粒子有着特殊的表面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应,在电学、磁学、光学和化学性质方面具有常规材料不具...
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