技术编号:3669376
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属有机聚合物的合成。具体涉及一种制备碳化硅陶瓷的先驱体一聚 碳硅垸的超临界流体合成方法。技术背景碳化硅(Silicon Carbide, SiC)陶瓷具有高温强度高、抗氧化性强、耐磨性 好、热稳定性好、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀 等优良特性,被广泛应用于各类高温结构零部件材料,比如航空航天高温部件、 原子核反应堆内壁构件、新型发动机气缸、催化剂热交换器部件、高温传感器、 密封件、汽轮机转子、喷嘴等等。由先驱体转化法制备SiC...
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