技术编号:3670204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体元件等制造的光刻胶组合物,更详细地为涉 及用300nm以下的远紫外线,例如KrF受激准分子激光(248nm)等或 电子射线等作为曝光能源用于形成阳型图形的光刻胶组合物。另外。还 涉及通过具有一定程度的稳定性的酸来断开主链,分解到低分子量,能 够容易地去除的树脂组合物。背景技术以往,作为用于半导体元件等制造的光刻胶组合物中的一种,公知 的有碱性可溶性树脂、酸发生剂以及具有酸不稳定基的溶解性控制剂的 化学增幅型光刻胶。这些组合物,通过照射紫...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。