技术编号:36728600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法,属于半导体电容器件结构领域,特别涉及一种高温和高功率应用场景下具有良好性能的三维半导体结构。背景技术、电容作为三大无源器件(电容、电阻、电感)之一,一直是各类电路的重要组成部分。但随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能、环保型等方向的发展,人们努力寻求将电子系统越做越小,集成度越来越高,功能越做越多,越来越强。、在这样的背景下,传统二维结构的电容在面对多层互连、高频性能等需求时显现出局限性。由于二维电容结构的约束,二维电容的电容密度受到...
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