技术编号:3676748
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种厚度为50μm以上200μm以下的范围,初期应力为9MPa以上19MPa以下的范围,扩张率为102%以上120%以下的范围,雾度值为10以下,全光线透过率为90%以上的隐形切割用膜基材。专利说明[0001]本发明涉及一种隐形切割(stealth dicing)用膜基材,以及使用该膜基材的隐形切割用膜和电子部件的制造方法。背景技术[0002]在切割半导体晶片(wafer)时,一边使用冷却水和洗涤水,一边通过切割刀切断晶片,并在接下来的扩张工序中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。