技术编号：36776212
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体抛光，更具体地，涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法。背景技术、在半导体光电子器件制造过程中，半导体衬底表面质量对器件的生产制造有着较大的影响，因此衬底表面抛光是一项至关重要的工艺步骤。但是由于宽禁带半导体材料具有硬度高，化学稳定性强等特点，传统的化学机械抛光难以达到化学机械作用平衡，从而导致后续的外延缺陷高、取向杂乱，外延质量低等问题。、在传统化学机械抛光中，使用固结磨料抛光膜进行抛光加工时，由于磨料与半导体晶圆的接触方式为刚性接触，此时机械去除作用过大，导致加工表面容易产生严...
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