技术编号：36797229
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体加工，尤其涉及一种碳化硅晶体加工设备及加工方法。背景技术、碳化硅(sic)材料具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高、热导率高、临界击穿场强高等诸多优异的性质。基于这些优良的特性，碳化硅材料是制备高温电子器件、高频、大功率器件更为理想的材料。、现有的碳化硅晶体加工流程包括：定向、模具粘接、磨床加工、模具脱离、晶向复检、模具粘接、磨床加工、模具脱离。整个加工过程复杂，且每个步骤之间都涉及到碳化硅晶体在不同设备间的转移，碳化硅晶体在不同设备之间转移后定位加工时难免会出现安装偏差，无...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。