技术编号:36808478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体外延,特别是涉及一种等离子体启辉室、射频等离子体装置及分子束外延设备。背景技术、半导体材料和器件科技蓬勃发展,出现了许多结构复杂的化合物半导体器件,对半导体器件的制备工艺要求日益增长,例如对半导体的外延生长技术提出了更高的要求。目前,外延生长技术包括:金属有机物化学气相沉积(metal organic chemical vapourdeposition,mocvd)、氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy,hvpe)、分子束外延(molecula...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。