技术编号:36832313
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶拉制领域,特别是一种用于改善单晶硅生产过程中坩埚鼓包的方法。背景技术、单晶硅的直拉法生长是指,高纯度的半导体级硅在一个坩埚中被加热至熔融状态。将晶种置于一根精确定向的棒的末端,并使末端浸入熔融状态的硅。然后,将棒缓慢地向上提拉,同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制,那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。、然而现有技术中的直拉法单晶硅生产中,将拉制过程仅仅分为循环段和完结段,而循环段多根晶锭的拉制工艺参数相同。循环段:开炉投料后,持续...
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