技术编号:36836283
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种半导体生产方法及其设备。背景技术、在半导体制程中,光刻是其制备工艺中的重要步骤之一,光刻的本质就是将电路结构复制到以后要进行刻蚀步骤及离子注入步骤的晶圆薄膜上。、相关技术中,对晶圆进行光刻时,首先需要在晶圆上涂覆抗反射涂层,用于防止晶圆的光反射,然后再旋转涂胶,即在晶圆上涂布光刻胶层,进行曝光,在光刻胶层形成图案后,按照该图案对晶圆进行刻蚀或离子注入。、然而,相关技术中,晶圆在光刻过程中的套刻误差大,从而导致制作的半导体结构的良率低的技术问题。技术实现思路、...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。