技术编号:3688897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种适于大规模集成电路的制备中应用的高分辨率的含硅I-线 (365nm)紫外正性光刻胶及其成膜树脂。背景技术在集成电路的制备过程中,光刻胶是进行光刻过程的关键功能材料。根据光刻胶 工艺的不同,光刻胶又分为正性光刻胶与负性光刻胶两大类。所谓正性光刻胶是指在光刻 过程中的光刻胶薄膜上,图形曝光的部分最后被显影液洗去,留下未曝光的部分形成图形。 而负性光刻胶与此相反,在光刻过程中,光刻胶薄膜上未曝光的部分在显影时被洗去,而曝 光的部分形成图形。传统的紫...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。