技术编号:36889207
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电半导体器件,尤其涉及一种表面修饰iii-v族氮化物材料及其制备方法和应用。背景技术、iii-v族氮化物半导体材料,如氮化铝镓(algan)和氮化铟镓(ingan)等,在光电子器件领域中具有重要应用,如光电二极管(leds)和激光二极管(lds)。氮化物材料的表面特性和材料性能对于光电器件的性能至关重要。为了改善这些材料的性能,尤其是在高功率和高温度应用中,表面修饰变得至关重要。、传统上,表面修饰主要依赖于化学气相沉积(cvd)和分子束外延(mbe)等技术,以生长所需的薄膜和异质...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。