技术编号：3691651
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶片材料的化学机械平面化(CMP)，更具体地涉及在电介质和防渗透材料的存在下用于抛光半导体晶片上金属互连(interconnect)的化学机械平面化组合物和方法。背景技术 半导体晶片一般是电介质层中含有排列成电路互连图案的许多沟槽的硅晶片。这些图案排列通常具有镶嵌结构或双镶嵌结构。防渗透层覆盖有图案的电介质层，且金属层覆盖防渗透层。金属层的厚度至少足以用金属填充成图案的沟槽，形成电路互连。化学机械平面化法通常包括多个抛光步骤。例如，第一步以...
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