技术编号：36919155
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及干法刻蚀，尤其涉及一种用于刻蚀形成铌酸锂微纳结构的nld刻蚀设备。背景技术、铌酸锂(linbo，lithium niobate，ln)具有从可见光到中红外波段(.μm～μm)的透明窗口、相对较高的折射率、优异的电光和二阶非线性光学性能以及出色的声光和压电特性，被誉为“光学硅”，可以被广泛应用于集成光子学。、铌酸锂薄膜可用于制备超高性能紧凑型调制器、宽带频率梳、以及高效率的光学频率转换器和单光子源。掺杂铌酸锂材料应用也相当广泛。mg：ln，可以大大提高抗激光损伤阈值，促进了...
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