技术编号：3694733
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及倍半硅氧烷-二氧化钛杂化聚合物，其用于在微电子加 工业中制备减反射膜。背景技术微电子加工业正朝器件内更小几何尺寸发展以实现更低的功耗和 更快的速度。随着导体线路变得更加纤细且更紧密地包装，这给加工 半导体器件引入了更多的挑战。这些加工方法的最重要之一是光刻法。通过光刻法获得的图形中的线宽差异可因半导体器件中底层反射 的光的光学干涉产生。由于底层表面状况造成的光致抗蚀剂厚度差异 也可导致线宽的差异。已使用施加于光致抗蚀剂层之下的下层减反射膜(BAR...
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