技术编号:36962040
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及磁性随机存储器,尤其涉及一种磁性随机存储器及其制备方法。背景技术、在目前的磁性随机存储器(mram)的顶电极连接制作工艺中,一般采用金属连线与顶电极直接相连的方式实现,顶电极连线的材料一般选择cu,由于磁性隧道结及其顶电极的总体厚度并不大,在刻蚀顶电极连线沟槽的时候,一般会选用含碳和氟的气体,这类刻蚀气体对顶电极、周围的绝缘层(encapsulation)以及电介质填充是没有选择比的。、如图所示,示出相关工艺中形成顶电极连线的过程,在顶电极连线沟槽刻蚀之后,一般都会形成深度为d的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。