技术编号:3696277
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在硅和介电材料以及所形成的集成电路前体结构上形成防反射涂层的方法。更具体地说,本发明方法包含提供一定量的聚合物,所述聚合物由单体通过施加电流升华为等离子状态,随后在基片表面上聚合生成。背景技术 集成电路制造商一直致力于硅片尺寸的最大化以及装置外形尺寸的最小化,以提高产量、减小单元设备尺寸、并增加单片计算能力。现在,随着先进的深度紫外线(DUV)微光刻法的出现,硅片上装置的外形尺寸为亚微米。可是,在光致抗蚀剂曝光过程中将基片的反射率减小至低于1%对...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。