技术编号:36969819
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及陶瓷材料制备,尤其涉及一种耐热、抗氧化氮化硅陶瓷基板及其制备方法。背景技术、随着集成电路工业的发展,电力电子器件技术正朝着高电压、大电流、大功率密度、小尺寸的方向发展。同时,近年来,高温传感器因其在高温、高压、腐蚀性环境等恶劣环境下,以及收到机械冲击时的优异性能而备受关注。因此,高效的散热系统是高集成电路必不可少的一部分,这就使得基板材料既需要良好的机械可靠性,又需要较高的热导率和耐高温抗氧化腐蚀能力。目前,广泛使用的基板材料主要是氧化铝和氮化铝陶瓷。但是,氮化铝陶瓷的力学性能较差,...
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