技术编号:36976645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及一种具有低反向恢复电荷的ac-sjmos及制备方法。背景技术、sj mos英文全称为super junction mosfet,即超结mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管),其具有低电阻和高电压能力的特点。相较于传统的普通mosfet,sj mos采用了特殊的结构设计,能够实现更好的性能。sj mos的结构包括p型和n型沟道之间的pn结构,并在沟道区域之间交叉排列多个pn结,比如会在漂移区设置交替排列的n-pillar和p-pillar。这种结构可以提高器件...
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