技术编号:36976651
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种改进型平面栅mosfet及制备方法。背景技术、半导体功率器件的一个实例是金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件,被称为mosfet器件。mosfet器件可以在已经蚀刻在基板中或蚀刻在外延层上的沟槽中形成。mosfet器件通过向mosfet器件的栅电极施加适当的电压来操作,栅电极的施加使器件接通,并形成连接mosfet器件的源极和漏极的通道,允许电流流过。功率半导体器件作为电力控制的核心电力电子器件,应用于电能的变换和控制。近年来,新能源汽车、高速列车、光伏、风电、手...
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