技术编号:36978519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于半导体,尤其涉及一种超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备。背景技术、碳化硅(sic)功率金属-氧化-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor,mosfet)由于其更快的开关速度、更低的开关损耗和更高的工作温度范围,已成为电动汽车和光伏逆变器等高功率应用中硅绝缘栅双极晶体管(igbt)的有力竞争对手。在实际应用中,mosfet 需要反并联二极管来处理反向电流,硅基mosfet常采用体二极管来降低寄生电感,...
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